β-Ga2O3单晶相关论文
β-Ga2O3 作为宽禁带半导体材料, 以其优越的光学性质、电学性质和广阔的应用前景近年来受到国内外学者的广泛关注。基于本研究团......
β-Ga2O3单晶材料由于其优异的性能得到了广泛关注,但是对于其掺杂、能级、电学性能等方面的研究仍然比较欠缺.采用导模法分别制备......
作为一种宽禁带半导体材料，β-Ga2O3单晶已经在光电子领域受到了广泛的关注。 半导体功率电子器件是电力电子装置的核心部件，其相......
为获得与GaN薄膜晶格失配小的衬底材料,报道了利用气相传输平衡技术(VTE)在(100)-βGa2O3单晶衬底上制备高度[001]取向LiGaO2薄膜......
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用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶，对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。解释了禁带部分展宽的原因。并研究了Sn^4＋和......
采用提拉法生长得到了新型超宽禁带透明半导体材料β-Ga2O3单晶,对其进行了物相分析和结晶质量的表征。XRD测试结果显示所获得的晶......
